پوست الکترونیکی با ترانزیستور تک اتمی تولید شد

به گزارش مجله سایه، به گزارش خبرنگاران به نقل از انگجت، پوست های الکترونیکی باید کاملاً باریک و راحت باشند. از همین رو باید اجزای الکترونیکی مورد استفاده برای تولید آنها نیز کاملاً باریک و نازک باشند. فناوری جدید ابداع شده در دانشگاه استنفورد به مهندسان امکان می دهد تا ترانزیستورهای تک اتمی بسازند که ضخامت آنها تنها 100 نانومتر است.

پوست الکترونیکی با ترانزیستور تک اتمی تولید شد

پیش از این برای تولید نیمه هادی ها و ترانزیستورهای دو بعدی باریک تلاش شده بود، اما مشکل اساسی گرم شدن شدید آنها بود که پلاستیک های مورد استفاده برای تولید پوست های الکترونیک را ذوب می کرد. در رویکرد جدید برای حل این مشکل از پوشش سیلیکونی و نیز یک پوشش مکمل نیمه رسانای فوق العاده نازک از دی سولفید مولیبدن استفاده شده که با الکترودهای طلای نانو تکمیل می شوند.

مجموعه این ترکیب تنها سه اتم ضخامت دارد و قادر به تحمل دمای 815 درجه سانتیگراد است. انتظار می رود از این ترکیب برای تولید پوست های الکترونیکی با قابلیت عبور دادن ولتاژ کم استفاده شود که 5 میکرون ضخامت داشته باشند. این رقم یک دهم موی انسان است.

منبع: خبرگزاری مهر
انتشار: 22 تیر 1400 بروزرسانی: 22 تیر 1400 گردآورنده: 3ye.ir شناسه مطلب: 8394

به "پوست الکترونیکی با ترانزیستور تک اتمی تولید شد" امتیاز دهید

امتیاز دهید:

دیدگاه های مرتبط با "پوست الکترونیکی با ترانزیستور تک اتمی تولید شد"

* نظرتان را در مورد این مقاله با ما درمیان بگذارید